Descripción
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas.
Características:
– Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
– Corriente de colector constante 800mA (Ic)
– Potencia total disipada 500mW(Pd)
– Ganancia o hfe 35 mínima
– Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
– Encapsulado de metal TO-18
– Estructura NPN
